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  • CeOx

    純度:3N

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ: Φ10,10x10mm

    分割になる境界サイズ:127mm

    用途: 触媒効果

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  • BaSrTiOx

    純度:3N

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ:

    分割になる境界サイズ:

    用途: 光屈折率効果

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  • Pt(白金)

    純度:4N

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ:Φ10、10x10mm

    分割になる境界サイズ:200mm

    用途: 電極材料

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  • Ru(ルテニウム)

    純度:3N

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ:Φ50

    分割になる境界サイズ:150mm

    用途: 電極材料

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  • Tiw

    純度:3N

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ:Φ50

    分割になる境界サイズ:127mm

    用途: 下地材料

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  • 多結晶シリコン(ポリクリスタル)

    純度:5N

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ:Φ10、10x10mm

    分割になる境界サイズ:200mm

    用途: 太陽電池

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  • Si-Bドープ

    純度:5N以上

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ:Φ10、10x10mm

    分割になる境界サイズ:300mm

    用途: タッチパネル

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  • ノンドープ

    純度:5N以上

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ:Φ50

    分割になる境界サイズ:127mm

    用途: BLディスク

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  • TiSi

    純度:4N

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ:Φ50

    分割になる境界サイズ:127mm

    用途: バッファ層

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  • MoSi

    純度:4N

    加工可能サイズ※ご要望によりどのような形状でも加工可能です

    加工可能最小サイズ:Φ50

    分割になる境界サイズ:127mm

    用途: バッファ層

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  • ケミストンの強み
  • スパッタリングターゲットについて